半导体激光器是以直接带隙半导体资料构成的 Pn 结或 Pin 结为作业物质的一种小型化激光器。半导体激光作业物质有几十种，现在已制成激光器的半导体资料有砷化镓、砷化铟、锑化铟、硫化镉、碲化镉、硒化铅、碲化铅、铝镓砷、铟磷砷等。半导体激光器的鼓励办法主要有三种，即电注入式 、光泵式和高能电子束鼓励式。绝大多数半导体激光器的鼓励办法是电注入，即给 Pn 结加正向电压，以使在结平面区域发生受激发射 ，也就是说是个正向偏置的二极管 。因而半导体激光器又称为半导体激光二极管。对半导体来说，因为电子是在各能带之间进行跃迁 ，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确认值， 这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的规模上。它们所宣布的波长在0.3～34μm之间。其波长规模决定于所用资料的能带空隙 ，最常见的是AlGaAs双异质结激光器，其输出波长为750～890nm。
半导体激光器制造技能阅历了由分散法到液相外延法(LPE)， 气相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE)，MOCVD 办法(金属有机化合物汽相淀积)，化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺。半导体激光器最大的缺陷是:激光功能受温度影响大，光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差。但随着科学技能的迅速发展， 半导体激光器的研讨正向纵深方向推动 ，半导体激光器的功能在不断地进步。以半导体激光器为中心的半导体光电子技能在 21 世纪的信息社会中将获得更大的发展，发挥更大的效果。
